[发明专利]一种高结晶质量纯相氧化亚铜薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010578047.1 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111807405B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 方国家;肖蒙 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;H01L31/032 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李艳景 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量氧化亚铜薄膜的制备方法。其步骤为：通过陶瓷片构筑微小反应空间，以纯铜箔为铜源，氧气或者空气作为反应气源采用热氧化法制备得到氧化亚铜薄膜；其中：微小反应空间的构筑方法为：取上陶瓷片和下陶瓷片，将两片支撑陶瓷片分别置于上陶瓷片和下陶瓷片之间撑起微小空间，即为构筑的微小反应空间；纯铜箔置于微小反应空间内的下陶瓷片表面；支撑陶瓷片厚度为0.1‑1mm，纯铜箔厚度为0.05‑0.2mm，支撑陶瓷片厚度至少是纯铜箔厚度的1.5倍。该方法获得的氧化亚铜结晶质量高，晶粒尺寸大，可达1.5mm，电化学性能优异，带隙小；操作简便，结果稳定，在光伏、光催化等方面具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 质量 氧化亚铜 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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