[发明专利]一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿忆阻器在审
| 申请号： | 202010577510.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111816765A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄安平;陈学良 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C01G29/00 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿忆阻器，该结构由顶电极层，金属卤化物钙钛矿层、底电极层以及衬底层构成。顶电极层为金或银纳米线，纳米线直径70nm,长度为20μm；阻变层为多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿层，厚度为100‑200nm；底电极层主要为铂，厚度为30～70nm；衬底层，厚度为520～530μm。本发明具有如下优点：制备了一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿，该结构可有效控制阻变过程粒子的迁移路径，降低导电通道形成的随机性，为忆阻器性能的提升优化提供了方法。本发明采用选旋涂法，制备方法简单，成本较低，在非易失性存储器、存算一体器件、神经突触模拟等领域应用广泛，有利于探索性能优异的阻变器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多枝状类 雪花 结构 金属 卤化物 钙钛矿忆阻器 | ||
【主权项】：
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