[发明专利]III族氮化物层叠体在审
| 申请号： | 202010575266.4 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112133746A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 矶野僚多;田中丈士 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及III族氮化物层叠体，提供用于在使用了在碳化硅基板上生长III族氮化物层而得到的外延基板的HEMT中抑制泄漏电流的技术。III族氮化物层叠体具有：由碳化硅构成的基板、由氮化铝构成且形成在基板上的第1层、由氮化镓构成且形成在第1层上的第2层、以及由电子亲和力小于构成第2层的氮化镓的III族氮化物构成且形成在第2层上的第3层，将第2层以均等的厚度三等分时的下层部分中的平均硅浓度低于1×10 |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 层叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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