[发明专利]一种旋转式双温区PVT法高质量单晶制备装置及方法有效
| 申请号： | 202010574531.7 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111621844B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/38;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 陈润明 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种旋转式双温区PVT法高质量单晶制备装置及方法，属于半导体制造装置和工艺技术领域。本发明包括上保温材料、上加热模块、籽晶、坩埚上盖、坩埚体、反应原料、下加热模块和下保温材料，所述上保温材料上开有测温窗，上保温材料的下端面设有上加热模块，下保温材料的端面上开有测温窗，下保温材料的内壁上设有凸起，坩埚上盖放置在下保温材料的凸起上，坩埚上盖与坩埚体连接，坩埚上盖与坩埚体之间具有籽晶，反应原料放置在坩埚体内腔中，下保温材料的内侧具有下加热模块。本发明结构简单，且在制备晶体时对反应原料加热更加充分，对反应原料温度控制更加有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 旋转 式双温区 pvt 质量 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
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