[发明专利]一种基于KCl形状调节剂的纳米碳化硅颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 202010573904.9 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111646471B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王志江 | 申请（专利权）人： | 内蒙古海特华材科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/97 | 分类号： | C01B32/97;C01B32/984;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 一种基于KCl形状调节剂的纳米碳化硅颗粒的制备方法，它属于碳化硅制备、半导体材料制备技术领域，它要解决现有碳化硅粉体的制备存在形貌不可控，粒径分布不均匀、颗粒团聚度高和纯度低的问题。方法：一、碳源的前处理；二、前处理后的碳源、KCl和硅源球磨，得混合物料；三、混合物料进行高温烧结。本发明通过采用KCl作为形状调节剂，通过与活化前处理的碳源、硅源之间的相互作用，通过控制气相中间产物的形核以及生长行为控制产物形貌以及粒径。本发明中制备的纳米碳化硅颗粒具有粉体粒形貌径分布均匀、纯度高和产业化生产的前景大的优点。本发明应用于纳米级碳化硅颗粒的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 kcl 形状 调节剂 纳米 碳化硅 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
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