[发明专利]基于有限元仿真后处理的传感器电容值计算方法有效

专利信息
申请号: 202010573493.3 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111737900B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 杜江锋;刘成艺;杨荣森 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 基于有限元仿真后处理的传感器电容值计算方法,首先根据传感器的结构和约束条件,利用有限元仿真软件进行传感器的建模和力学仿真,将力学仿真结果中的形变结果导出;然后处理形变结果获得每个绝缘层界面中各节点的绝对坐标与每个绝缘层边缘闭环路径中各节点的绝对坐标;再根据加密法、映射法分别计算传感器可变电容部分和固定电容部分的电容值后相加,获得最终的传感器电容值,加密法和映射法结合使用增加了设计的灵活性。本发明解决了一些有限元仿真软件无法直接求解传感器电容值的问题,通过构造绝对坐标的方式,利用微元法思想,能够用于计算发生不规则形变的电容器,突破了均匀压力条件下小挠度和大挠度理论计算的限制,计算误差小。
搜索关键词: 基于 有限元 仿真 处理 传感器 电容 计算方法
【主权项】:
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