[发明专利]一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用有效
| 申请号： | 202010571464.3 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111834230B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;李长灏 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/473 | 分类号： | H01L21/473;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 成姗 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区广州大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用，为研制高介电常数、低漏电流的介电层薄膜，本发明提供了一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，即将锆源和铈源溶于有机溶剂中，预先制备锆铈氧化物前驱体溶液，最后涂覆在衬底上进行热处理制得，所制备的铈掺杂的氧化锆薄膜表面平整、致密，电学性能好，应用于制备薄膜晶体管领域，具备较好的击穿特性，更低的漏电流密度。同时，本发明的铈掺杂的氧化锆薄膜晶体管结构简单，制备工艺简便,易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锆 薄膜 制备 方法 及其 晶体管 中的 应用 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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