[发明专利]一种高密度通孔互连的双面光电基片的制造方法有效
| 申请号： | 202010567403.X | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111681965B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨春燕;郝沄;王明琼;于惠游;肖刚;袁海 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L31/18;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度通孔互连的双面光电基片的制造方法，该方法基于激光加工技术在陶瓷基片上制作微通孔，辅助通孔填充与表面平坦化，膜层溅射、布线线条制作等流程，实现高密度微通孔双面互联光电陶瓷基片的制造。基于激光对AlN陶瓷的精细加工技术，研究高密度微通孔互连光电器件制作技术，通过对高密度微通孔双面互连技术，使得基片的双面通过通孔连接，通孔中填充的为Au，解决光电模块器件电路的背面也要具备相应的功能并与正面图形互连及可靠性问题；基于磁控溅射技术制备金属膜层，实现了高密度微通孔互连光电器件制作技术，通过金属化层进行图形化工艺技术，高效实现厚膜填孔工艺和薄膜图形化工艺的有效结合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 互连 双面 光电 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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