[发明专利]一种埋嵌电容用高介电常数的多相复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010562363.X | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111716838B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 邹文中;周国云;何为;王守绪;陈苑明;洪延;王翀 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B32B15/01 | 分类号： | B32B15/01;B32B15/20;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10;B32B38/00;B32B38/16;C08K3/24;C08L63/00 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明的埋嵌电容用高介电常数的多相复合材料，将通过熔盐法制备得到的由一维材料和纳米颗粒组成的纳米粉体混合物作为主要原料，与树脂基体混合均匀后得到浆液，之后将得到的浆液均匀涂覆到铜箔上并压合固化得到覆铜板型固化片。通过在树脂基体中加入棒状等一维铁电陶瓷来制备复合介电材料，不仅可以有效地增加树脂基体内铁电陶瓷之间的有效接触，而且可以增加它们在两电极之间相互形成介电通路的概率，从而得到较高的介电常数，同时，通过引入颗粒，在填充含量较高时，可以较为明显地降低复合材料的介电损耗，提升电容器件的整体性能。本发明制备的多相纳米复合材料具有作为埋嵌电容的介电材料而应用在印制电路板中的巨大潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 介电常数 多相 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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