[发明专利]一种用于三维集成电路封装的硅通孔结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010562310.8 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111769077B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/265;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于三维集成电路封装的硅通孔结构及其制造方法。本发明方法包括以下步骤：通过向硅片中注入氢离子剥离硅片获得制备硅通孔的基底；对基底进行双面等离子体刻蚀，从而将基底贯通形成硅通孔；沉积绝缘介质、铜扩散阻挡层和籽晶层，采用光刻和刻蚀工艺去除部分所述铜扩散阻挡层和所述籽晶层，仅保留硅通孔侧壁处的所述铜扩散阻挡层和所述籽晶层；在上述结构的上下表面形成牺牲层，在硅通孔中完全填充导电金属材料，然后去除牺牲层，所形成的导电金属材料的上下表面分别突出于绝缘介质的上下表面；在导电金属材料表面形成接触焊点。本发明能够有效提高生产效率，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三维集成电路 封装 硅通孔 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
