[发明专利]量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010557214.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111525005B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 何小武;牛智川;张宇;徐应强;陈昊;孙宝权;窦秀明;尚向军;倪海桥;任正伟;刘汗青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 光子 制备 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
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