[发明专利]半导体器件和用于制备晶片的方法在审
| 申请号： | 202010552514.3 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112103335A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | H.布雷希;A.比尔纳;J.特怀南 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件和用于制备晶片的方法。在实施例中，半导体器件包括具有能够支承至少一种III族氮化物的外延生长的第一表面的支承层、位于支承层的第一表面上的外延的基于III族氮化物的多层结构、以及位于支承层的第一表面处的寄生沟道抑制区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制备 晶片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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