[发明专利]一种石墨坩埚及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010548109.4 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN111732448A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 叶宏伦;钟健;钟其龙;刘崇志;张本义;姜政余 申请(专利权)人: 璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C30B23/00;C30B29/36;C04B35/56;C04B35/622
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 罗恒兰
地址: 210000 江苏省南京市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种石墨坩埚及其制备方法,其通过在石墨坩埚内形成碳化铌膜层,来减少石墨坩埚中碳元素参与到晶体的生产过程,进而抑制晶体石墨化。而在石墨坩埚上制备碳化铌时,利用超声波将氧化铌附着到坩埚上,然后利用现有的长晶炉对坩埚进行热碳还原处理,进而在石墨坩埚上形成碳化铌膜层。该制备过程简单,利用现有的长晶炉即可完成,制备成本低。
搜索关键词: 一种 石墨 坩埚 及其 制备 方法
【主权项】:
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