[发明专利]一种基于导电凝胶的GaN基HEMT传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010547831.6 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111933706B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 杨紫琪;卢星;陈荣盛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423;G01N27/414 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于导电凝胶的GaN基HEMT传感器及其制备方法。本发明的GaN基HEMT传感器包括由下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN渐变层或AlN/GaN超晶格缓冲层、GaN:C高阻层、GaN沟道层、AlN隔离层、非掺杂Al |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 导电 凝胶 gan hemt 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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