[发明专利]台阶式GaN栅极器件及制备方法有效
| 申请号： | 202010545650.X | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111508840B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;蔡永清;陈桥波;黄雷 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/207 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种台阶式GaN栅极器件及制备方法，制备方法包括如下步骤：提供衬底，生长GaN沟道层和势垒层，定义栅、源、漏区；去除源漏区势垒层，并在源漏区生长掺杂GaN层，掺杂GaN层上表面高于势垒层；沉积隔离层，将垂直方向的隔离层定义为侧墙层；将栅区中除侧墙层外区域分为第零刻蚀区和第零台阶区，第零刻蚀区、台阶区和栅区具有相同延伸方向；去除第零刻蚀区的隔离层；在栅区沉积栅极金属层。本发明通过隔离侧墙工艺形成栅极台阶型场板，在减小栅极尺寸的同时，也利用台阶型的场板提高了器件的耐压性能。本发明中的栅极尺寸可控，对光刻设备精度要求不高；台阶型场板结构与栅极结构一同形成，工艺条件简单易行，可重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 台阶 gan 栅极 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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