[发明专利]基于碳化硼纳米片增强吡啶钌电致化学发光效应的汞离子检测方法有效

专利信息
申请号: 202010543918.6 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111912837B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 梁汝萍;李雅捷;邱建丁 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: G01N21/76 分类号: G01N21/76;G01N27/30;G01N27/26;C09K11/06;B82Y15/00
代理公司: 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 代理人: 李楠
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种基于碳化硼纳米片增强吡啶钌电致化学发光效应的汞离子检测方法,属于电致化学发光技术领域。将碳化硼纳米片涂覆在玻碳电极表面制备碳化硼纳米片修饰玻碳电极,碳化硼纳米片可增强吡啶钌的ECL效率,得到强而稳定的吡啶钌的阳极ECL信号。当溶液中存在Hg2+时,Hg2+与吡啶钌竞争与碳化硼的作用位点,使得吡啶钌的阳极ECL信号下降,ECL信号下降的程度与Hg2+浓度的对数呈线性,据此构建基于碳化硼纳米片增强吡啶钌ECL效应的Hg2+检测方法,并应用于环境水样中Hg2+浓度的检测,具有选择性高、线性范围宽和检测限低的优点,有良好的应用前景。
搜索关键词: 基于 碳化 纳米 增强 吡啶 钌电致 化学 发光 效应 离子 检测 方法
【主权项】:
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