[发明专利]半导体加工设备、沉积钝化层方法及PRAM制作方法在审
| 申请号： | 202010527570.1 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111584411A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 黄元泰;周娜;李俊杰;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件加工技术领域，尤其涉及半导体加工设备、沉积钝化层方法及PRAM制作方法，包括：在对刻蚀腔室中的目标膜层刻蚀后，原位循环执行钝化层沉积过程，以在目标膜层上沉积钝化层；钝化层沉积过程包括：顺次执行前驱气体吸附工序、第一次吹扫工序、活化工序和第二次吹扫工序；前驱气体吸附工序包括：通过前驱气体供给装置向刻蚀腔室中供给前驱气体，以使目标膜层的表面吸附前驱气体形成前驱体膜；第一次吹扫工序包括：先向刻蚀腔室供给吹扫气体，再抽出吹扫气体；活化工序包括：对前驱体膜进行活化；第二次吹扫工序包括：先向刻蚀腔室供给吹扫气体，再抽出吹扫气体。本发明不仅避免了目标膜层发生氧化，而且钝化层的厚度精确可控。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 设备 沉积 钝化 方法 pram 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
