[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010526925.5 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111799273A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张中;吴林春;韩玉辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，先形成第一堆栈和第一阶梯结构，然后在阶梯区形成贯穿第一堆栈的第一虚拟沟道孔，接着形成第二堆栈和第二阶梯结构，再在阶梯区形成贯穿第二堆栈的第二虚拟沟道孔，最后在第一虚拟沟道孔和第二虚拟沟道孔中填充第一绝缘层。通过两次刻蚀形成阶梯结构，这样虚拟沟道孔也可以分两次刻蚀形成，因而一次只需要刻蚀一半的堆栈层，降低虚拟沟道孔的刻蚀难度，极大改善了底部虚拟沟道孔的尺寸，有利于底部结构的支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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