[发明专利]一种新型晶硅双面电池背膜结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010520028.3 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111628011A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;李雪方;张波;张云鹏;郭丽;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶硅双面电池生产领域。一种新型晶硅双面电池背膜结构，自下而上为SixNy/SiOxNy/SiOx，SiOx膜之上为P型硅基体，其中，SiOx膜层的折射率为1.5‑1.7，膜厚为5‑10nm，SiOxNy膜层的折射率为1.7‑2.0，厚度为10‑20nm，SixNy膜层的折射率为2.1‑2.3，厚度为55‑75nm。本发明还涉及该新型晶硅双面电池背膜结构的制备方法。本发明提出的新型晶硅双面电池背膜制备工艺实现后，一方面相比主流的氧化铝制造工艺，成本较低；另一方面，氮氧化硅较氧化铝，抗LID效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 双面 电池 膜结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
