[发明专利]一种高能离子注入机用的尖端场形负氢离子源装置有效
| 申请号： | 202010515865.7 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111681936B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈根;宋云涛;赵燕平;毛玉周 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州科沃园专利代理有限公司 44416 | 代理人： | 王维霞 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高能离子注入机用的尖端场形负氢离子源装置，包括防护罩、放电室、灯丝、永久磁铁、等离子体电极、引出电极、绝缘陶瓷和水冷口；灯丝为U型结构，顶部设计有电流接口；灯丝设计有绝缘结构，利用陶瓷支撑与放电室绝缘；放电室接地，顶部设计有进气管道和永磁铁，底部设计有等离子体电极和绝缘防护套；放电室外侧是多组永磁铁，每组磁铁分为六层；永磁铁外侧是设计有水冷结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高能 离子 注入 尖端 场形负 氢离子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院，未经中国科学院合肥物质科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010515865.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
