[发明专利]一种高能离子注入机用的尖端场形负氢离子源装置有效
申请号: | 202010515865.7 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111681936B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 陈根;宋云涛;赵燕平;毛玉周 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/317;H01L21/67 |
代理公司: | 广州科沃园专利代理有限公司 44416 | 代理人: | 王维霞 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种高能离子注入机用的尖端场形负氢离子源装置,包括防护罩、放电室、灯丝、永久磁铁、等离子体电极、引出电极、绝缘陶瓷和水冷口;灯丝为U型结构,顶部设计有电流接口;灯丝设计有绝缘结构,利用陶瓷支撑与放电室绝缘;放电室接地,顶部设计有进气管道和永磁铁,底部设计有等离子体电极和绝缘防护套;放电室外侧是多组永磁铁,每组磁铁分为六层;永磁铁外侧是设计有水冷结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 高能 离子 注入 尖端 场形负 氢离子 装置 | ||
【主权项】:
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