[发明专利]一种基于磁模式Fano共振的折射率传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010509590.6 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111579533A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王宗鹏;钟文武;申士杰;林志萍 | 申请（专利权）人： | 台州学院 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种折射率传感器，包含以下结构：七聚体纳米天线、介质层及耦合金属层。所述的折射率传感器利用磁模式的Fano共振随环境折射率的变化进行工作。本发明还公开一种制备所述的折射率传感器的方法，包括以下步骤：硅片清洗、镀金膜、生长介质膜、样品清洗、旋涂电子束曝光胶、电子束曝光、显影、定影、镀金膜、剥离、去胶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 模式 fano 共振 折射率 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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