[发明专利]一种基于立体掩模衬底的MicroLED制备方法有效
| 申请号： | 202010504542.8 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111785813B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 | 申请（专利权）人： | 北京飓芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于立体掩模衬底的MicroLED制备方法。该方法在异质衬底上制备立体掩模层；在所述异质衬底上利用所述立体掩模层外延生长III族氮化物材料；在所述III族氮化物材料上外延生长MicroLED结构层。该方法针对立体掩模衬底的特点和MicroLED较高的晶体质量要求，在立体掩模衬底上生长过程中，在沟道生长阶段插入预置应力层；在电极制作过程中使用SiN |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 立体 衬底 microled 制备 方法 | ||
【主权项】：
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