[发明专利]一种仿生光痛觉传感器及其应用有效
| 申请号: | 202010498960.0 | 申请日: | 2020-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN111739974B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
| 发明(设计)人: | 李润伟;公国栋;高双 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/032;H01L31/18;G01J1/42;G01M11/02;G01R31/26 |
| 代理公司: | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人: | 赵兴华 |
| 地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种仿生光痛觉传感器及其应用。该器件采用典型的“三明治”器件结构,选用高功函数的导电金属作为底电极,选用富含缺陷的光敏半导体作为介质层,选用低功函数的透明导电材料作为顶电极。利用上下电极功函数不匹配所产生的内建电场,使体系中存在光伏效应,在光激励下,利用光生载流子在介质层缺陷态中的捕获和释放过程,可以实现痛觉传感器的四大关键属性:阈值、非适应、弛豫和痛觉敏化,在视觉假体、人造眼球、类人机器人中具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 生光 痛觉 传感器 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





