[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202010498643.9 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN112531030A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 彭羽筠;颜甫庭;陈婷婷;林耕竹;彭辞修 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 此处提供半导体装置与其形成方法。本公开实施例的半导体装置包括第一半导体通道膜,与第二半导体通道膜位于第一半导体通道膜上;以及含硅与氮的多孔介电结构。多孔介电结构夹设于第一半导体通道膜与第二半导体通道膜之间,且多孔介电结构的密度小于氮化硅的密度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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