[发明专利]单体多通道二极管阵列在审
| 申请号： | 202010489291.0 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN112038335A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | V·G·舒克拉;M·B·威尔蒂;L·娄 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请题为“单体多通道二极管阵列”。电子装置(100、200、300)包括第一导电类型(N)衬底(102)和具有第一掺杂剂浓度的第二导电类型(P)外延层(104)。第一衬底区(103)包括第二导电类型掩埋层(100)并且被第一深隔离结构(101A)包围。在第一衬底区内是具有第二导电类型(P)和大于第一掺杂剂浓度的掺杂剂浓度的第一掺杂区(112)以及具有第一导电类型(N)的第二掺杂区(114/116)。第二衬底区(105)包括第一导电类型(N)掩埋层(118)并且被第二深隔离结构(101B)包围。在第二衬底区内是具有第二导电类型(P)和大于第一掺杂剂浓度的掺杂剂浓度的第三掺杂区(120)。 | ||
| 搜索关键词： | 单体 通道 二极管 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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