[发明专利]一种双极结型晶体管器件及其制造方法、电子产品在审
| 申请号： | 202010487354.9 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111584623A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李昆翔 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种双极结型晶体管器件及其制造方法、电子产品。本申请实施例中，所述双极结型晶体管器件包括基于基底制作形成的第一电极区、第二电极区、以及结终端扩展区。所述结终端扩展区位于所述第一电极区和所述第二电极区之间并与所述第一电极区邻接。其中，所述结终端扩展区包括间隔分布的多个扩散区域，且该多个扩散区域各自的宽度从所述第一电极区往所述第二电极区的方向依次减小。经试验验证，本申请实施例提供的双极结型晶体管器件相比较传统JTE结构的双极结型晶体管器件，HTRB稳定性更好、制造工艺流程更容易控制、同时电场尖峰强度更低、电压稳定性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极结型 晶体管 器件 及其 制造 方法 电子产品 | ||
【主权项】：
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