[发明专利]一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料及制备方法和磁芯有效

专利信息
申请号: 202010486803.8 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN111785471B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 徐军明;唐梦霞;刘树岭;冯斌 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01F1/38 分类号: H01F1/38;H01F1/36;H01F1/34;H01F41/02;H01F27/255
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强
地址: 310018*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料及制备方法和磁芯,该复合材料由纳米晶Fe3O4和非晶SiO2纳米颗粒相互均匀分散组成,两者的颗粒直径均小于5nm。该复合材料制备采用低温水浴法一步制备:称取一定量的FeCl2、醋酸钠和正硅酸乙酯溶解于DMF和水的混合溶剂中,在80℃~90℃水浴锅中进行磁力搅拌,反应时间2~4小时后,先后采用水和酒精进行磁分离清洗,室温干燥后获得本发明复合材料。该非晶纳米晶复合材料压制的磁芯可用于高频干扰信号的抑制和吸收。
搜索关键词: 一种 纳米 高频 抗干扰 复合材料 制备 方法
【主权项】:
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