[发明专利]带有五阶梯型量子阱和倒V型电子阻挡层的发光二极管有效
| 申请号： | 202010480172.9 | 申请日： | 2020-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN111477730B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 赵志斌;曲轶;谢琼涛;李再金;李林;徐东昕;乔忠良 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 曹鹏飞 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种带有五阶梯型量子阱和倒V型电子阻挡层的发光二极管，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底顶端自下而上依次生长有n‑Al |
||
| 搜索关键词： | 带有 阶梯 量子 电子 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海南师范大学，未经海南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010480172.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
