[发明专利]一种太阳能电池表面钝化膜生产工艺有效
| 申请号: | 202010479499.4 | 申请日: | 2018-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN111755564B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | 刘群;林佳继;朱太荣;范棋翔;伊凡·裴力林;庞爱锁 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;H01L21/673;H01L21/68;H01L21/683;C23C16/458;C23C16/513 |
| 代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
| 地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明的目的是提供一种太阳能电池表面钝化膜生产工艺,包括:上料装置将未镀膜的硅片上料;移载装置将未镀膜的硅片上移送至空的石墨板上;扁平吸盘到位后,石墨舟驱动电机驱动石墨舟经第一滑动机构升降,便于扁平吸盘放置硅片;放置好后,扁平吸盘再将另一石墨板上的已镀膜完成的硅片移送至传输装置中;传输装置将已镀膜完成的硅片移送至上料装置的另一端。本发明可在同一设备中可完成提升开压的隧穿氧化钝化薄膜和减反射膜的制备,采用伯努利吸盘可避免镀膜划伤问题;同时石墨板上硅片定位机构可减少卡点印、硅片变形、碎片率高等问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 表面 钝化 生产工艺 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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