[发明专利]一种以双(甲酸)二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010473950.1 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111599925B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 李福民;陈冲;申志涛;岳根田;翁玉娟;纪明星 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 张丽
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明一种以双(甲酸)二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池材料及器件技术领域,包括以下步骤:(1)将异辛酸亚锡溶解到一种或者多种共混的弱极性有机溶剂中,通过搅拌方式将其完全溶解,得到无色透明溶液;将溶液滴到洁净的透明导电衬底上,进行旋涂,然后在紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理,得到薄膜;记为:衬底负电极/CSCO。(2)在步骤(1)所得样品上沉积具有光电转换性能的材料,得到活性层,然后制备空穴传输层,最后蒸镀顶层正电级,得到太阳能电池,记为:衬底负电极/CSCO/活性层/空穴传输层/顶层正电级。
搜索关键词: 一种 甲酸 甲基 半导体 薄膜 作为 电子 传输 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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