[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010469265.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113745111A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区，第一区上具有第一源掺杂层，第一源掺杂层内具有第一掺杂离子；在第一源掺杂层内形成若干开口，开口的底部暴露出第一区的衬底的表面；在暴露出的第一区的所述衬底的表面上形成沟道柱，沟道柱包括位于开口内且侧壁被第一源掺杂层覆盖的第二部分和位于第二部分上的第一部分；对沟道柱的第二部分进行离子掺杂形成第二源掺杂层，所述第二源掺杂层内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子的离子浓度小于第一掺杂离子的离子浓度，第二掺杂离子的离子类型与所述第一掺杂离子的离子类型相同；本发明的形成方法使得形成的半导体器件的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
