[发明专利]一种基于FDSOI的PIN结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010466299.5 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584637A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 徐翠芹;田明;汪雪娇;刘巍;景旭斌;廖端泉;王昌锋;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于FDSOI的PIN结构及其制作方法，位于P型衬底浅区域的埋氧层；埋氧层上方P型衬底的区域为沟道区；位于沟道区上的栅极结构；分别位于栅极结构两侧的第一P+区和N+区；从沟道区表面经过埋氧层边缘并延伸至P型衬底深处的第一、第二STI区，第一STI区位于第一P+区远离栅极一侧的边缘；第二STI区位于所述N+远离栅极一侧的边缘。本发明通过将传统PIN结构中栅极一侧的N+区替换为P+区，有效提取沟道区与栅极之间的界面态以及能态分布，克服了常规PIN无法对界面态即能态分布进行提取的缺陷；同时利用制作栅极两侧的P+区和N+区的光罩，将二者交界处置于栅极上方，可以将光刻的工艺窗口增大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fdsoi pin 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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