[发明专利]三层光刻材料的返工方法在审
| 申请号： | 202010466198.8 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584348A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李中华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/02;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三层光刻材料的返工方法，包括步骤：步骤一、提供形成有多晶硅栅的半导体衬底；步骤二、旋涂ODL层、SHB层和PR层叠加而成的三层光刻材料；步骤三、进行膜层检查，如果检查出现问题，则进行后续步骤四；步骤四、进行返工工艺，包括：步骤41、进行有机溶剂清洗；步骤42、进行采用CF4为刻蚀气体的第一次等离子气体刻蚀；步骤43、进行采用N2H2为刻蚀气体的第二次等离子气体刻蚀。步骤44、采用单片清洗工艺对所述半导体衬底进行清洗。本发明能提高返工工艺的适用范围，极大提高返工工艺的安全性，而且还能降低返工工艺额外引入的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 三层 光刻 材料 返工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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