[发明专利]一种降低P型MOSFET源漏电极接触电阻的制备方法在审
| 申请号： | 202010465628.4 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584620A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴勇;陆俊;王东;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低P型MOSFET源漏电极接触电阻的制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 mosfet 漏电 接触 电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
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