[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010462349.2 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111769044A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李长安;张铭宏 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/56;H01L23/31;H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 519085 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：提供初始基板，所述初始基板包括沿厚度方向依次层叠的衬底、沟道层、势垒层和栅极；在栅极所在层背离势垒层的一侧形成钝化材料层；对所述钝化材料层进行图形化，以形成初始钝化层，所述初始钝化层包括源极盲孔和漏极盲孔；形成源漏图形层，所述源漏图形层包括位于所述源极盲孔内的源极和所述漏极；对形成有源漏图形层的初始基板进行回火处理，以使得所述源极盲孔的底壁扩散形成为源极过孔、所述漏极盲孔的底壁扩散形成为漏极过孔，并获得钝化层。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管。所述高电子迁移率晶体管转化率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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