[发明专利]一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法有效
| 申请号： | 202010458143.2 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111621816B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杜立群;曹强;杜成权;肖海涛;赵明;翟科 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D1/10;C23C14/35;C23C14/16;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮;潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法，属于微制造技术领域。基于UV‑LIGA技术，在不锈钢基底上，将传统的高深宽比微柱的制作工艺转化为高宽深比微结构的制作工艺，从而将“超高深宽比微盲孔结构的显影和微电铸”转化为“微沟槽的显影和微电铸”，制作过程中避免了高深宽比带来的传质难度；利用叠层光刻胶工艺，通过多次SU‑8光刻胶套刻、微电铸镍、溅射铜导电层以及铸后平坦化处理，将微柱阵列与底板制作得到；利用真空退火工艺降低铸层的内应力，并提高铸层之间的结合力。本发明解决了深宽比大于或远大于10：1的超高深宽比金属微柱阵列的制作难题，并且微柱深宽比越大，本发明的有益效果越明显。另外，本发明具有微柱与背板结合力强、铸层之间结合力强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 金属 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
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