[发明专利]一种利用磁性应力调控抑制磁噪声的一体化三轴磁传感器有效
| 申请号： | 202010456328.X | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111624525B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 胡佳飞;潘孟春;于洋;李裴森;彭俊平;杜青法;邱伟成;张琦;孙琨 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用磁性应力调控抑制磁噪声的一体化三轴磁传感器，包括绝缘基底、磁通电调控单元、变轨软磁块和至少四个磁测量单元；磁测量单元呈中心对称布置于绝缘基底的表面，磁通电调控单元以磁测量单元的对称中心点为中心放置在绝缘基底上，变轨软磁块以磁测量单元的对称中心点为中心放置在磁测量单元上。本发明具有高分辨力、高正交性、小体积、低功耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁性 应力 调控 抑制 噪声 一体化 三轴磁 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学，未经中国人民解放军国防科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010456328.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
