[发明专利]一种SiC外延深沟槽的填充方法在审
| 申请号： | 202010450739.8 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111584349A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;章学磊;史田超;史文华;钟敏;胡新星 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC外延深沟槽的填充方法，包括以下步骤：对衬底上生长的N型4H‑SiC外延层进行沟槽刻蚀，刻蚀深度大于10μm；对刻蚀后的沟槽进行部分填充，在沟槽内形成表面为V型坑的SiC外延层；将V型坑填平；多次重复上述步骤直至生长至离沟槽顶部小于5μm；向沟槽内填充表面平整的SiC外延层，直至将沟槽填满；本发明通过控制生长条件减小V型坑的横向尺寸，使V型坑在初期纵向生长，此时，0001面积减小，缺陷可以充分拐弯，减小位错穿透到表面的概率，利用这种V型坑缺陷自我湮灭机制，在外延生长过程中将衬底与外延层界面处形成的界面位错和衬底上的缺陷自我湮灭，从而降低器件的漏电流和提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 外延 深沟 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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