[发明专利]一种GaN基平面肖特基变容管的制备方法有效
| 申请号： | 202010448430.5 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111599872B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 祁路伟;张德海;孟进 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家空间科学中心 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 张红生;陈琳琳 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件的制作领域，具体是一种GaN基平面肖特基变容管的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)对准标记的制作；2)欧姆电极的制作；3)一次平坦化制作肖特基“金属檐”结构；4)肖特基金属蒸发；5)刻蚀绝缘台；6)二次平坦化；7)电镀形成空气桥、电极pad及互连金属，即得到GaN基平面肖特基变容管。本发明有效改善“金属檐”结构的刻蚀条件，提高侧墙的表面质量并降低侧墙表面陷阱电荷，从而提高器件的反偏特性；改善“空气桥”结构由工艺引入的误差，有效降低器件的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 平面 肖特基变容管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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