[发明专利]一种MOSFET芯片版图结构有效
| 申请号： | 202010447250.5 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111668311B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;诸建周;谈益民;黄传伟;李健;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种MOSFET芯片版图结构，应用于一种MOSFET芯片，包括位于底部的第一层源极金属和与第一层源极金属顶面接触的第二层源极金属，第一层源极金属为四周包围有栅极Bus条的源极区，栅极Bus条上开有栅极刻蚀窗口，第二层源极金属覆盖第一层源极金属，第二层源极金属上设栅极键合区通过栅极刻蚀窗口与栅极Bus条接触。本发明的优点：正面金属采用双层布线，即第一层金属除栅极Bus条外，全部为源极金属，因此可将原栅极键合区域全部拓展为源极区域，增加了芯片的元胞区域，从而有效降低了芯片的导通电阻，提高了芯片性能；或在获得相同导通电阻的情况下，可减少芯片面积，最终降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 芯片 版图 结构 | ||
【主权项】：
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