[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010434420.6 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113707610B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 朴淳秉;平尔萱 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：形成衬底，所述衬底内具有沟槽，所述沟槽内具有覆盖于所述沟槽内壁的栅介质层、覆盖于部分所述栅介质层表面的阻挡层、以及填充于所述阻挡层表面的第一栅极层；去除部分所述阻挡层，形成位于所述第一栅极层与所述栅介质层之间的凹槽；形成至少覆盖所述凹槽内壁和所述第一栅极层顶面的沟道介质层；形成至少部分填充所述凹槽内内侧的第二栅极层。本发明减小了GIDL效应，并降低了埋入式栅极内部的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010434420.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
