[发明专利]一种可控压摆率N型MOS高边驱动电路有效
| 申请号： | 202010433903.4 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111555737B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王飞;王云;郑鲲鲲;郝炳贤;任广辉;薛静;王桂磊;亨利·阿达姆松 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可控压摆率N型MOS高边驱动电路，属于驱动电路技术领域，用可控电流对开关的栅极充放电，在充放电完成时，强开或者强关栅极以防止栅极的电压扰动，所有MNx为与衬底隔离的NMOS器件，M0为需驱动的高边N型MOS开关，VHIGH为驱动的电源。最左侧MN0‑MN3提供了偏置电路，M1为源级跟随器结构，限制M0栅极的充电电压，实现高边驱动以及可控压摆率的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 压摆率 mos 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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