[发明专利]一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法有效
| 申请号： | 202010428566.X | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111341704B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 衡鹏 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法，所述边缘去除装置包括：夹具，包括第一夹板和第二夹板，第一夹板和第二夹板之间形成夹持空间；放置于夹持空间内的底膜和至少一个功能膜，底膜贴设于第二夹板上，功能膜包括第一膜层和第二膜层，第一膜层的面积大于第二膜层的面积以在第一膜层上形成台阶面，台阶面与硅片上形成有背封层的一面的边缘相对，台阶面上开设有若干出液口；刻蚀液供给管路，刻蚀液供给管路与若干出液口连通，用于向硅片上形成有背封层的一面的边缘喷射刻蚀液。根据本发明实施例的边缘去除装置，可适应不同背封层去除量的要求，并且大大减少刻蚀液的用量，有利于降低成本和环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 背封层 边缘 去除 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
