[发明专利]反向恢复尖峰电压吸收电路的最优参数设计方法有效

专利信息
申请号: 202010427439.8 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111628640B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 李鑫;罗毅飞;肖飞;范学鑫;王瑞田;马天兆;刘宾礼;黄永乐 申请(专利权)人: 中国人民解放军海军工程大学
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H9/04;G06F30/373;G06F30/367
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 黄行军
地址: 430000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及反向恢复尖峰电压吸收电路最优参数设计方法,包含步骤:建立整流二极管物理模型;测试结果与仿真结果对比;物理模型带入仿真电路;吸收电阻初始值赋予当前值,吸收电容初始值赋予当前值保持不变,代入整流装置仿真电路,吸收电阻仿真,至电压尖峰为最小值;吸收电阻当前值赋予参考吸收电阻保持不变,吸收电容初始值赋予吸收电容当前值,吸收电容仿真,至电压尖峰小于安全运行裕度;吸收电容当前值赋予最优吸收电容保持不变,吸收电阻仿真,至输出最优吸收电阻、最优吸收电容。本发明能短时间得最优阻容吸收参数;使整流二极管反向恢复安全工作区最大,提升吸收效率、装置可靠性,精确量化设计;可进行定量分析;提升了设计精度。
搜索关键词: 反向 恢复 尖峰 电压 吸收 电路 最优 参数 设计 方法
【主权项】:
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