[发明专利]一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置在审
申请号: | 202010419225.6 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111443569A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 马乐;韦亚一;张利斌;陈睿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种修正模型的建立方法及装置、掩模图形优化方法及装置,预先基于历史掩模图形的图形参数、历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的实际参数和历史掩模图形对应的历史权重建立修正模型,历史权重基于历史掩模图形的图形参数和/或历史曝光图形的实际参数,以及历史掩模图形的初始权重确定,在获取待修正掩模图形后,可以利用修正模型,得到待修正掩模图形对应的待修正曝光图形的预测参数,基于预测参数以及待修正曝光图形的目标参数,对待修正掩模图形进行修正,以减小预测参数和目标参数的差值。这样确定的历史权重是具有针对性的,据此建立的修正模型也是较为准确的,对待修正掩模图形的修正也更加具有针对性。 | ||
搜索关键词: | 一种 修正 模型 建立 方法 装置 优化 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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