[发明专利]基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法在审
| 申请号： | 202010413445.8 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113671769A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 路侑锡;金里;刘其鑫;冯俊波;郭进;蒋平;杨米杰 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02F1/29 | 分类号： | G02F1/29;G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法，光学相控阵包括：硅基底；氧化硅层，位于硅基底上；硅基光波导层，位于氧化硅层上，硅基光波导层包括耦合分束器及光栅天线，耦合分束器及光栅天线之间具有间隙带；氧化硅包层，填充于硅基光波导层周围及间隙带；铌酸锂移相器，包括位于间隙带上的铌酸锂薄膜、位于铌酸锂薄膜上且连接耦合分束器及光栅天线的铌酸锂光波导、以及位于铌酸锂光波导两侧的铌酸锂薄膜上的调制电极。本发明采用具有高电光系数、低损耗的材料如铌酸锂来代替传统的光学相控阵中所用的热调电阻或者载流子注入的相位调制方式，可以在光学相控阵中进行低功耗、高速、低波导损耗的光学相位调制。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 薄膜 材料 控制 光学 相控阵 制备 方法 | ||
【主权项】：
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