[发明专利]聚(3-己基噻吩)与碲化汞量子点构筑的混合型光电晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010413196.2 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111640875A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 董轶凡;袁勋龙;夏帆 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 王佩 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚(3‑己基噻吩)与碲化汞量子点构筑的混合型光电晶体管及其制备方法和应用。本发明采用DMF作为反应溶剂，最大限度地减少QDs的聚集，使其在溶液中保持良好的分散状态；DPE、TEA和FMT等配体控制QDs的成核及生长、形貌、荧光性质和稳定性；低温阶段为QDs的成核阶段，生成小QDs，然后在升至室温过程中开始生长，最后在高温阶段达到发射波段；再对HgTe QDs进行纯化；然后进行配体交换；再将HgTe QDs进行纯化；将HgTe QDs溶于甲苯形成溶液，有利于抑制薄膜沉积前的量子点聚合；直接将P3HT加入配好的HgTe QDs溶液，制的P3HT:HgTe QDs溶液，通过步骤S11和S12沉积洗涤后得到P3HT:HgTe QDs光电晶体管。本发明的光电晶体管同时具备优异的响应速度，灵敏度和低噪声水平。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 碲化汞 量子 构筑 混合 光电晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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