[发明专利]一种掩膜及其制造方法、二维材料薄膜图案制造方法有效
| 申请号： | 202010395688.3 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111636048B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郝镇齐;高志廷;冀豫;张金松;王亚愚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C16/04;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/24;C23C14/16;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/56;G03F1/26 |
| 代理公司： | 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 | 代理人： | 刘光德 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜，所述掩膜包括包括不透光的硅基材以及形成在该硅基材上表面的第一透光层，所述硅基材具有贯穿厚度形成的槽；所述第一透光层采用可透射可见光的材料制成，其对应所述槽顶面的区域形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的镂空图案。本发明进一步还公开了所述掩膜的制造方法以及采用该掩膜制造二维材料薄膜图案的方法。本发明解决了二维材料反光性差在光镜下不易寻找的难题，方便在微结构下寻找薄膜材料并且可以精密定位。同时，所述掩膜制造工艺简单，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制造 方法 二维 材料 薄膜 图案 | ||
【主权项】：
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