[发明专利]一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法在审

专利信息
申请号: 202010388875.9 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN113622017A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 王建波;周锐;邓浩;李侨;付泽华;张龙龙;徐战军;张永辉;张伟建 申请(专利权)人: 隆基绿能科技股份有限公司
主分类号: C30B15/04 分类号: C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 赵娟
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明实施例提供一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法,该方法包括:将硅料和第一重量的掺杂剂加入坩埚中,生长第一单晶硅;在第一单晶硅生长的收尾阶段完成后,按照预设转速调节坩埚的转速,以及按照预设功率调节加热器的功率,其中,预设转速与引晶阶段坩埚的转速之差的绝对值小于等于第一阈值,预设功率与引晶阶段加热器的功率之差的绝对值小于等于第二阈值;将第二重量的掺杂剂加入坩埚中,生长第二单晶硅;其中,在第一单晶硅和第二单晶硅的生长过程中,向坩埚中动态加入硅料,以使任一时刻坩埚内的硅料重量为预设重量。本发明实施例的方法可以有效控制掺杂剂的量,提高掺杂剂的利用效率,可以解决单晶硅的头尾部电阻率分布不均匀的问题。
搜索关键词: 一种 单晶硅 掺杂 方法 制造
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