[发明专利]一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法有效
| 申请号： | 202010385228.2 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111534855B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郭帅;冯巍;谢小刚 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/16;C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：获取元素B在预设炉温下的束流速率；获取元素A的束流速率随炉温变化的函数关系；根据预设规则将组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域；针对每一子区域，计算确定元素A的源炉生长工艺参数；在元素B的炉温恒定为预设炉温并且元素A的源炉设定为所确定的生长工艺参数下，生长组分渐变层。根据预期组分变化函数关系对待生长的渐变层进行子区域划分，并针对每个子区域进行温度设定，从而在整个厚度范围内实现生长的组分变化关系与预期变化关系高度匹配。该方法操作方便，且所生长的组分渐变层的组分变化关系能够根据预期变化关系进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多元 化合物 组分 渐变 分子 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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